FMUSER Originaal Uus SD2931-11 raadiosageduslik transistor Suure võimsusega võimendus 20V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV leviedastus-tarnija

FMUSERi originaalne uus SD2931-11 RF-toitetransistori suure võimsusega 20V MOSFET-transistor Kirjeldus: SD2931-11 on kuldne metalliseeritud N-kanaliga MOS-välise efektiga RF-transistor. Olles elektriliselt identne standardse SD2931 MOSFET-iga, on see mõeldud kasutamiseks 50 V alalisvoolu suurtes signaalirakendustes kuni 230 MHz. SD2931-11 on mehaaniliselt ühilduv SD2931-ga, kuid pakub lisaks paremat soojusvõimet (25% madalam soojustakistus), mis on klassi parimad transistorid ISM-i rakenduste jaoks, kus töökindlus ja vastupidavus on kriitilised tegurid. Omadused: * kulla metalliseerimine * suurepärane termiline stabiilsus * ühine allikas

detail

Eelmine:FMUSER originaalne uus BLF177 RF transistor suure võimsusega võimendusega 50V MOSFET transistor

Järgmine:FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Transistor Power MOSFET Transistor for 600w FM Transmitter

Hind (USD)	Kogus (tk)	Shipping (USD)	Kokku (USD)	Saatmisviis	Makse
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Algne uus SD2931-11 RF-transistor suure võimsusega võimendusega 20V MOSFET-transistor

Kirjeldus:
SD2931-11 on kullast metalliseeritud N-kanal MOS väljatugevusega RF-transistor. Olemist elektriliselt identne standardse SD2931-iga MOSFET, see on mõeldud kasutamiseks suure 50 V alalisvoolu jaoks signaalirakendused sagedusega 230 MHz. SD2931-11 on mehaanilise ühilduvusega seadmega SD2931, kuid pakub lisaks paremat soojusenergiat võime (25% madalam soojustakistus), ISM-i jaoks oma klassi parimate transistoride esindamine rakendused, kus usaldusväärsus ja vastupidavus on kriitilised tegurid.

Omadused:
* Kulla metalliseerimine
* Suurepärane termiline stabiilsus
* Üldine allikakonfiguratsioon
* POUT = 150 W min. 14 dB võimendusega @ 175MHz
* Termiliselt täiustatud pakend madalamale
* ristmike temperatuurid
* GFS ja VGS on seadmele märgitud

Spetsifikatsioon:

* Seeria: SD2931
* Tootekategooria: RF MOSFET transistorid
* Transistori polaarsus: N-kanal
* Tehnoloogia: Si
* Id - pidev tühjendusvool: 20 A
* Vds - äravooluallika jaotuspinge: 125 V
* Gain: 15 dB
* Väljundvõimsus: 150 W
* Minimaalne töötemperatuur: - 65 C
* Maksimaalne töötemperatuur: + 200 C
* Paigaldusstiil: kruvikinnitus
* Pakend: lahtiselt
* Konfiguratsioon: ühekordne kahest allikast
* Kõrgus: 7.11 mm (max)
* Pikkus: 24.89 mm (max)
* Töösagedus: 230 MHz
* Laius: 12.83 mm (max)
* Kanalirežiim: täiustamine
* Pd - jõu hajumine: 389 W
* Vgs - väravaallika pinge: 20 V